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器件增益与晶体管的通道迁移率以及载流子寿命成正比，龙信而后者则正是决定探测器速率的关键因素。在光电器件制造领域，电力成熟的二维材料制备过程需要克服掺杂不均一、电力材料生长多样性甚至由于局部环境作用产生的滞后效应等问题，最终还得考察这些问题的解决方案是否适应量产化过程。
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与视频帧数类似，产品实际使用的探测器需要非常高的速率来维持其日常操作稳定性。
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物联网产(e)聚合物辅助剥离MoS2图示及其I-V曲线。品荣【图文导读】图1. 2D材料基忆阻器及其开关机制总览图图2. Ag/GO/ITO器件的双极开关特性(a,b)Ag/GO/ITO器件的光学照片及I-V曲线。
